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单相BJT晶体管 / 2DC4617QLP-7B
- 价格 起订量
- ¥ 2.03453 1+
- ¥ 1.91937 10+
- ¥ 1.81073 100+
- ¥ 1.70823 500+
- ¥ 1.61154 1000+
- 型号: 2DC4617QLP-7B
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: 3-UFDFN
- 描述: Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
- 库存地点: 内地
- 库存: 7570
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 2.03453
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:19 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:3-UFDFN
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:200mV
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2015
- JESD-609代码:e4
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散:250mW
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
- 基本部件号:2DC4617
- 元素配置:Single
- 增益带宽积:100MHz
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:100mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:120 @ 1mA 6V
- 最大集极截止电流:100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):200mV @ 5mA, 50mA
- 最大击穿电压:50V
- 集电极基极电压(VCBO):50V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 连续集电极电流:100mA
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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