简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BC856B-13-F
- 价格 起订量
- ￥ 1.38664 1+
- ￥ 1.30815 10+
- ￥ 1.23411 100+
- ￥ 1.16425 500+
- ￥ 1.09835 1000+
- 型号： BC856B-13-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 14800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.38664
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-650mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：220
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：200MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BC856B
- 元素配置：Single
- 功率耗散：350mW
- 功率 - 最大：310mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：200MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：65V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：200MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 连续集电极电流：-100mA
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
BC856B-13-F Diodes Incorporated
BC856BMTF ON Semiconductor- BC856A-7-F Diodes Incorporated
- BC856B-7-F Diodes Incorporated
- BC856CMTF ON Semiconductor
