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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / KSE45H11
- 价格 起订量
- ￥ 7.84064 1+
- ￥ 7.39683 10+
- ￥ 6.97814 100+
- ￥ 6.58315 500+
- ￥ 6.21052 1000+
- 型号： KSE45H11
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.84064
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 包装/外壳：TO-220-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- hFEMin：60
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- 已出版：2001
- 包装：Bulk
- 操作温度：150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-80V
- 最大功率耗散：1.67W
- 额定电流：-10A
- 频率：40MHz
- 基本部件号：KSE45H
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.67W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：40MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：10A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 2A 1V
- 最大集极截止电流：10μA
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 400mA, 8A
- 转换频率：40MHz
- 最大击穿电压：60V
- 集电极基极电压(VCBO)：-80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- VCEsat-最大值：1 V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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