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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BUT11A
- 价格 起订量
- ￥ 14.33887 1+
- ￥ 13.52724 10+
- ￥ 12.76155 100+
- ￥ 12.03919 500+
- ￥ 11.35773 1000+
- 型号： BUT11A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Bulk
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.33887
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Power Dissipation (Max)：100W
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：450V
- 额定电流：5A
- 基本部件号：BUT11
- 元素配置：Single
- 功率耗散：100W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：450V
- 最大集电极电流：5A
- 最大集极截止电流：1mA
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 500mA, 2.5A
- 最大击穿电压：100V
- 集电极基极电压(VCBO)：1kV
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 最小直流增益（hFE）：10
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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