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单相BJT晶体管 / PZT3906

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  • 型号: PZT3906
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-261-4, TO-261AA
  • 描述: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 110
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-261-4, TO-261AA
  • 引脚数:4
  • 质量:188mg
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-400mV
  • Current-Collector (Ic) (Max):200mA
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:30
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2013
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:4
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电压 - 额定直流:-40V
  • 最大功率耗散:1W
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 额定电流:-200mA
  • 频率:250MHz
  • 基本部件号:PZT3906
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:1W
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 增益带宽积:250MHz
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):-40V
  • 最大集电极电流:-200mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 10mA 1V
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):400mV @ 5mA, 50mA
  • 转换频率:250MHz
  • 最大击穿电压:40V
  • 集电极基极电压(VCBO):-40V
  • 发射极基极电压 (VEBO):-5V
  • 最大结点温度(Tj):150°C
  • 接通时间-最大值(ton):70ns
  • 高度:1.8mm
  • 长度:6.7mm
  • 宽度:3.7mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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