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单相BJT晶体管 / DPLS350E-13
- 价格 起订量
- ￥ 3.88726 1+
- ￥ 3.66723 10+
- ￥ 3.45965 100+
- ￥ 3.26382 500+
- ￥ 3.07907 1000+
- 型号： DPLS350E-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 57300
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.88726
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DPLS350
- 引脚数量：4
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 2A 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 200mA, 2A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 高度：1.65mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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