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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SD2114KT146V
- 价格 起订量
- ￥ 2.91621 1+
- ￥ 2.75114 10+
- ￥ 2.59541 100+
- ￥ 2.44850 500+
- ￥ 2.30991 1000+
- 型号： 2SD2114KT146V
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
- 库存地点： 内地
- 库存： 18100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.91621
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：180mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：820
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：TIN/TIN COPPER
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：500mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：2SD2114
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：350MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：20V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：820 @ 10mA 3V
- 最大集极截止电流：500nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 20mA, 500mA
- 转换频率：350MHz
- 最大击穿电压：20V
- 集电极基极电压(VCBO)：25V
- 发射极基极电压 (VEBO)：12V
- 连续集电极电流：500mA
- VCEsat-最大值：0.4 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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