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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / NSL12AWT1G
- 价格 起订量
- ￥ 0.70498 1+
- ￥ 0.66507 10+
- ￥ 0.62743 100+
- ￥ 0.59191 500+
- ￥ 0.55841 1000+
- 型号： NSL12AWT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS PNP 12V 2A SC-88
- 库存地点： 内地
- 库存： 360
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.70498
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装：YES
- 触点镀层：Tin
- 引脚数：6
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-170mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- hFEMin：100
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：-12V
- 最大功率耗散：450mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-3A
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：NSL12A
- 引脚数量：6
- 元素配置：Single
- 功率耗散：650mW
- 功率 - 最大：450mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 800mA 1.5 V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：290mV @ 20mA, 1A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：12V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：6.35mm
- 长度：6.35mm
- 宽度：6.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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