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单相BJT晶体管 / 2SC5232BTE85LF
- 价格 起订量
- ￥ 0.93312 1+
- ￥ 0.88030 10+
- ￥ 0.83047 100+
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- ￥ 0.73912 1000+
- 型号： 2SC5232BTE85LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq NPN 0.5A 12V
- 库存地点： 内地
- 库存： 1048
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.93312
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：110mV
- hFEMin：300
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：150mW
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：150mW
- 增益带宽积：130MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：500 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 200mA
- 转换频率：80MHz
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：15V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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