简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SA1955FVBTPL3Z
- 价格 起订量
- ￥ 2.02678 1+
- ￥ 1.91205 10+
- ￥ 1.80382 100+
- ￥ 1.70172 500+
- ￥ 1.60540 1000+
- 型号： 2SA1955FVBTPL3Z
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SOT-723
- 描述： Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
- 库存地点： 内地
- 库存： 3143
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.02678
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-723
- 供应商器件包装：VESM
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-30mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：400mA
- hFEMin：300
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2005
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：100mW
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：100mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：400mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
- 最大击穿电压：12V
- 频率转换：130MHz
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage
2SA2030T2L ROHM Semiconductor- DTB543EMT2L ROHM Semiconductor
DSA340200L Panasonic Electronic Components- DTB513ZMT2L ROHM Semiconductor
