简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / MSD1819A-RT1G
- 价格 起订量
- ￥ 1.69133 1+
- ￥ 1.59559 10+
- ￥ 1.50527 100+
- ￥ 1.42007 500+
- ￥ 1.33969 1000+
- 型号： MSD1819A-RT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
- 库存地点： 内地
- 库存： 122556
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.69133
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：210
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：150mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MSD1819A
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：150mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：60V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：210 @ 2mA 10V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 10mA, 100mA
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 高度：900μm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
MSD1819A-RT1G ON Semiconductor- BC847CWT1G ON Semiconductor
- BC846BWT1G ON Semiconductor
MSD601-RT1G ON Semiconductor
PDTC144WE,115 NXP USA Inc.
