图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / BD682G
- 价格 起订量
- ¥ 10.04404 1+
- ¥ 9.47551 10+
- ¥ 8.93916 100+
- ¥ 8.43317 500+
- ¥ 7.95582 1000+
- 型号: BD682G
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-225AA, TO-126-3
- 描述: TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
- 库存地点: 内地
- 库存: 5804
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 10.04404
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-225AA, TO-126-3
- 表面安装:NO
- 引脚数:3
- 质量:4.535924g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5V
- Number of Elements:1
- hFEMin:750
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Bulk
- 已出版:1995
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 电压 - 额定直流:-100V
- 最大功率耗散:40W
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 额定电流:4A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 基本部件号:BD682
- 引脚数量:3
- 极性:PNP
- 元素配置:Single
- 功率耗散:40W
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 无卤素:无卤素
- 晶体管类型:PNP - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO):100V
- 最大集电极电流:4A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:750 @ 1.5A 3V
- 最大集极截止电流:500μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):2.5V @ 30mA, 1.5A
- 集电极基极电压(VCBO):100V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 连续集电极电流:4A
- 高度:6.35mm
- 长度:6.35mm
- 宽度:6.35mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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