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单相BJT晶体管 / 2N2219A
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2N2219A
- 厂商: Microsemi Corporation
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 描述: Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-39
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:TO-39 (TO-205AD)
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Current-Collector (Ic) (Max):800mA
- Number of Elements:1
- 操作温度:-55°C~200°C TJ
- 包装:Bulk
- 已出版:2007
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最高工作温度:200°C
- 最小工作温度:-55°C
- 最大功率耗散:800mW
- 极性:NPN
- 功率耗散:800mW
- 功率 - 最大:800mW
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:800mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA 10V
- 最大集极截止电流:10nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 集电极基极电压(VCBO):75V
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:Non-RoHS Compliant
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