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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / MJE210G
- 价格 起订量
- ￥ 6.68578 1+
- ￥ 6.30734 10+
- ￥ 5.95032 100+
- ￥ 5.61351 500+
- ￥ 5.29576 1000+
- 型号： MJE210G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： ON SEMICONDUCTOR MJE210G. RF TRANSISTOR, PNP, -25V, 65MHZ, TO-225
- 库存地点： 内地
- 库存： 360
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.68578
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-25V
- 最大功率耗散：15W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-5A
- 频率：65MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MJE210
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：15W
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：65MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.8V @ 1A, 5A
- 转换频率：65MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：8V
- 高度：11.0998mm
- 长度：7.7978mm
- 宽度：2.9972mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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