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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SA1313-Y,LF
- 价格 起订量
- ￥ 1.39311 1+
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- ￥ 1.23986 100+
- ￥ 1.16968 500+
- ￥ 1.10347 1000+
- 型号： 2SA1313-Y,LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.39311
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：S-Mini
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-100mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- hFEMin：25
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：200mW
- 极性：PNP
- 功率 - 最大：200mW
- 增益带宽积：200MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：200MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 连续集电极电流：-500mA
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
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