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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BCP56-16
- 价格 起订量
- ￥ 4.80538 1+
- ￥ 4.53338 10+
- ￥ 4.27677 100+
- ￥ 4.03469 500+
- ￥ 3.80631 1000+
- 型号： BCP56-16
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： BCP56 Series 80 V 1 A 1.6 W Surface Mount Low Power NPN Transistor - SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 1264
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.80538
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：SOT-223-P008
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Power Dissipation (Max)：1.6W
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：BCP56
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.6W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
- 转换频率：120MHz
- 最大击穿电压：80V
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：1.82mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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