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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / STR1550
- 价格 起订量
- ￥ 4.54635 1+
- ￥ 4.28901 10+
- ￥ 4.04624 100+
- ￥ 3.81720 500+
- ￥ 3.60114 1000+
- 型号： STR1550
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： NPN Transistor, gp, bjt, 500V 0.5A SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.54635
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：500V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：500mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STR1550
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：500V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 50mA 10V
- 最大集极截止电流：10μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 6mA, 50mA
- 最大击穿电压：500V
- 集电极基极电压(VCBO)：500V
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：1.4mm
- 长度：3.04mm
- 宽度：1.75mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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