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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 30C02MH-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 3.50600 1+
- ￥ 3.30755 10+
- ￥ 3.12033 100+
- ￥ 2.94371 500+
- ￥ 2.77708 1000+
- 型号： 30C02MH-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： ON Semi 30C02MH-TL-E NPN Bipolar Transistor; 0.7 A; 30 V; 3-Pin MCPH
- 库存地点： 内地
- 库存： 1168
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.50600
付款方式
支付宝
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：190mV
- hFEMin：300
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：600mW
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：190mV
- 最大集电极电流：700mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 50mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：190mV @ 10mA, 200mA
- 最高频率：540MHz
- 频率转换：540MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：850μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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