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单相BJT晶体管 / 50A02MH-TL-E
- 价格 起订量
- ¥ 3.12728 1+
- ¥ 2.95026 10+
- ¥ 2.78326 100+
- ¥ 2.62572 500+
- ¥ 2.47710 1000+
- 型号: 50A02MH-TL-E
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: 3-SMD, Flat Lead
- 描述: TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3
- 库存地点: 内地
- 库存: 26000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 3.12728
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:3-SMD, Flat Lead
- 表面安装:YES
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-60mV
- Number of Elements:1
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2006
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:600mW
- 端子位置:DUAL
- 基本部件号:50A02MH
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:600mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 增益带宽积:690MHz
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:500mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流:100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):120mV @ 10mA, 100mA
- 最高频率:690MHz
- 转换频率:690MHz
- 最大击穿电压:50V
- 集电极基极电压(VCBO):50V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 高度:850μm
- 长度:2mm
- 宽度:2.1mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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