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单相BJT晶体管 / BC856BW-7-F
- 价格 起订量
- ￥ 1.24076 1+
- ￥ 1.17053 10+
- ￥ 1.10428 100+
- ￥ 1.04177 500+
- ￥ 0.98280 1000+
- 型号： BC856BW-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.24076
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-323
- 质量：6.010099mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-650mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：-65V
- 最大功率耗散：200mW
- 额定电流：-100mA
- 频率：200MHz
- 基本部件号：BC856BW
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 功率 - 最大：200mW
- 增益带宽积：200MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：65V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65V
- 最高频率：200MHz
- 最大击穿电压：65V
- 频率转换：200MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：1mm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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