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单相BJT晶体管 / BC848BWT1G
- 价格 起订量
- ￥ 0.80992 1+
- ￥ 0.76407 10+
- ￥ 0.72082 100+
- ￥ 0.68002 500+
- ￥ 0.64153 1000+
- 型号： BC848BWT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - BC848BWT1G - RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323, FULL REEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 45000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.80992
付款方式
支付宝
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：150
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：150mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：150mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：900μm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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