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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / FMB2227A
- 价格 起订量
- ￥ 3.74098 1+
- ￥ 3.52923 10+
- ￥ 3.32946 100+
- ￥ 3.14100 500+
- ￥ 2.96321 1000+
- 型号： FMB2227A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 170
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.74098
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Number of Elements：2
- hFEMin：75
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：700mW
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：500mA
- 频率：250MHz
- 基本部件号：FMB2227
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：700mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：250MHz
- 晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
- 最大集极截止电流：30nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.4V @ 30mA, 300mA
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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