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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / FMB5551
- 价格 起订量
- ￥ 3.07851 1+
- ￥ 2.90426 10+
- ￥ 2.73987 100+
- ￥ 2.58478 500+
- ￥ 2.43847 1000+
- 型号： FMB5551
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.07851
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：80
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：160V
- 最大功率耗散：700mW
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：600mA
- 频率：300MHz
- 基本部件号：FMB5551
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：700mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：300MHz
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：160V
- 最大集电极电流：600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：50nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：200mV @ 5mA, 50mA
- 转换频率：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：180V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 高度：1.12mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.68mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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