图片经供参考,以实物为准

BJT 晶体管阵列 / ULN2002AN
- 价格 起订量
- ¥ 15.18647 1+
- ¥ 14.32686 10+
- ¥ 13.51590 100+
- ¥ 12.75085 500+
- ¥ 12.02910 1000+
- 型号: ULN2002AN
- 厂商: Texas Instruments
- 类别: BJT 晶体管阵列
- 封装: 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述: TEXAS INSTRUMENTS ULN2002AN DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, DIP
- 库存地点: 内地
- 库存: 78900
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 15.18647
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 触点镀层:Gold
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 引脚数:16
- 质量:951.693491mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.1V
- Number of Elements:7
- 操作温度:-20°C~70°C TA
- 包装:Tube
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- JESD-609代码:e4
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:16
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:逻辑电平兼容
- HTS代码:8541.29.00.95
- 端子位置:DUAL
- 基本部件号:ULN2002
- 引脚数量:16
- 输出电压:30V
- 极性:NPN
- 配置:COMPLEX
- 输出电流:500mA
- 晶体管应用:SWITCHING
- 晶体管类型:7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:500mA
- 最大集极截止电流:50μA
- JEDEC-95代码:MS-001BB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.6V @ 500μA, 350mA
- 驱动器数量:7
- VCEsat-最大值:1.6 V
- 高度:5.08mm
- 长度:19.3mm
- 宽度:6.35mm
- 器件厚度:3.9mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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