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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 / SN75469N
- 价格 起订量
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- ￥ 19.25996 10+
- ￥ 18.16978 100+
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- 型号： SN75469N
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述： Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 100 V, 500 mA, DIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 51
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 20.41556
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：16-DIP (0.300, 7.62mm)
- 引脚数：16
- 质量：951.693491mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：7
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：16
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- HTS代码：8542.39.00.01
- 电压 - 额定直流：100V
- 端子位置：DUAL
- 额定电流：500mA
- 基本部件号：SN75469
- 引脚数量：16
- 极性：NPN
- 配置：COMPLEX
- 输出电流：500mA
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：7 NPN Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：500mA
- JEDEC-95代码：MS-001BB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 500μA, 350mA
- 驱动器数量：7
- VCEsat-最大值：1.6 V
- 高度：5.08mm
- 长度：19.3mm
- 宽度：6.35mm
- 器件厚度：3.9mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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