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BJT 晶体管阵列 / IMX25T110
- 价格 起订量
- ￥ 3.51210 1+
- ￥ 3.31330 10+
- ￥ 3.12576 100+
- ￥ 2.94883 500+
- ￥ 2.78191 1000+
- 型号： IMX25T110
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SC-74, SOT-457
- 描述： TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
- 库存地点： 内地
- 库存： 4481
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.51210
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-74, SOT-457
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：50mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：820
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- HTS代码：8541.21.00.95
- 最大功率耗散：300mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：IMX25
- 引脚数量：6
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 增益带宽积：35MHz
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：20V
- 最大集电极电流：300mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：820 @ 4mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：100mV @ 3mA, 30mA
- 转换频率：35MHz
- 最大击穿电压：20V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：25V
- 连续集电极电流：300mA
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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