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BJT 晶体管阵列 / IMX5T108
- 价格 起订量
- ￥ 1.04804 1+
- ￥ 0.98871 10+
- ￥ 0.93275 100+
- ￥ 0.87995 500+
- ￥ 0.83014 1000+
- 型号： IMX5T108
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SMD/SMT
- 描述： TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT
- 库存地点： 内地
- 库存： 7
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.04804
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SMD/SMT
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：11V
- Number of Elements：2
- hFEMin：56
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子表面处理：锡银铜
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：11V
- 最大功率耗散：300mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：50mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：6
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：3.2 GHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：11V
- 最大集电极电流：50mA
- 转换频率：3.2GHz
- 最大击穿电压：11V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 最小直流增益（hFE）：27
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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