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RF BJT 晶体管 / MT3S20TU(TE85L)
- 价格 起订量
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- 型号： MT3S20TU(TE85L)
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 3-SMD, Flat Lead
- 描述： RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
- 库存地点： 内地
- 库存： 10713
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, Flat Lead
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：900mW
- Reach合规守则：unknown
- 元素配置：Single
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：80mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 50mA 5V
- 增益：12dB
- 转换频率：5000MHz
- 最大击穿电压：12V
- 频率转换：7GHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：1.5V
- 连续集电极电流：80mA
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.45dB @ 20mA, 5V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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