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图片经供参考，以实物为准
RF MOSFETs 晶体管 / PD57018-E
- 价格 起订量
- ￥ 200.35458 1+
- ￥ 189.01376 10+
- ￥ 178.31487 100+
- ￥ 168.22157 500+
- ￥ 158.69960 1000+
- 型号： PD57018-E
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- 描述： FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
- 库存地点： 内地
- 库存： 1200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 200.35458
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：25 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：165°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：65V
- 最大功率耗散：31.7W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：250
- 额定电流：2.5A
- 频率：945MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：PD57018
- 引脚数量：10
- JESD-30代码：R-PDSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：31.7W
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：100mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：65V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 连续放电电流(ID)：2.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大输出功率：18W
- 漏源击穿电压：65V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：760mOhm
- 电压-测试：28V
- 最小击穿电压：65V
- 功率增益：16.5dB
- 高度：3.5mm
- 长度：7.5mm
- 宽度：9.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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