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RF BJT 晶体管 / MSC2295-CT1G
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MSC2295-CT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT 30V RF NPN
- 库存地点： 内地
- 库存： 27000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- hFEMin：110
- Number of Elements：1
- 已出版：2006
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：30mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：150MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：20V
- 最大集电极电流：30mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：110 @ 1mA 10V
- 转换频率：150MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 集电极-基极电容-最大值：1.5pF
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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