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RF BJT 晶体管 / 2SC5095-R(TE85L,F)
- 价格 起订量
- ￥ 3.21849 1+
- ￥ 3.03632 10+
- ￥ 2.86445 100+
- ￥ 2.70231 500+
- ￥ 2.54935 1000+
- 型号： 2SC5095-R(TE85L,F)
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r
- 库存地点： 内地
- 库存： 3641
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.21849
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：10V
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2009
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低噪音
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：100mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：100mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：10 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：10V
- 最大集电极电流：15mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 7mA 6V
- 增益：13dB ~ 7.5dB
- 转换频率：10000MHz
- 最大击穿电压：10V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：1.5V
- 最高频段：超高频B型
- 集电极-基极电容-最大值：0.85pF
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.8dB @ 2GHz
- RoHS状态：符合RoHS标准
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