图片经供参考,以实物为准

RF BJT 晶体管 / 2SC5095-O(TE85L,F)
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2SC5095-O(TE85L,F)
- 厂商: Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别: RF BJT 晶体管
- 封装: SC-70, SOT-323
- 描述: Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 1
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 触点镀层:Silver, Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-70, SOT-323
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:10V
- Number of Elements:1
- hFEMin:50
- 操作温度:125°C TJ
- 包装:Cut Tape (CT)
- 已出版:2009
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:100mW
- 频率:10GHz
- 元素配置:Single
- 功率耗散:100mW
- 增益带宽积:10 GHz
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):10V
- 最大集电极电流:15mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:80 @ 7mA 6V
- 增益:13dB ~ 7dB
- 转换频率:7000MHz
- 最大击穿电压:10V
- 集电极基极电压(VCBO):20V
- 发射极基极电压 (VEBO):1.5V
- 噪音数字(分贝类型@ f):1.8dB @ 2GHz
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
BFU550WX NXP USA Inc.
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

