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RF BJT 晶体管 / 55GN01CA-TB-E
- 价格 起订量
- ￥ 2.65873 1+
- ￥ 2.50824 10+
- ￥ 2.36626 100+
- ￥ 2.23232 500+
- ￥ 2.10597 1000+
- 型号： 55GN01CA-TB-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
- 库存地点： 内地
- 库存： 4976
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.65873
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：10V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 频率：5.5GHz
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：4.5 GHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：10V
- 最大集电极电流：70mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
- 增益：9.5dB
- 转换频率：5500MHz
- 最大击穿电压：10V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 连续集电极电流：5mA
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.9dB @ 1GHz
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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