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RF BJT 晶体管 / 15GN03CA-TB-E
- 价格 起订量
- ￥ 2.52904 1+
- ￥ 2.38589 10+
- ￥ 2.25084 100+
- ￥ 2.12343 500+
- ￥ 2.00324 1000+
- 型号： 15GN03CA-TB-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： RF Transistor, NPN Single CP, 10 V, 70 mA, fT = 1.5 GHz
- 库存地点： 内地
- 库存： 33000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.52904
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：10V
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：200mW
- 引脚数量：3
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：10V
- 最大集电极电流：70mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
- 增益：13dB @ 0.4GHz
- 频率转换：1.5GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.6dB @ 0.4GHz
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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