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RF BJT 晶体管 / MMBTH81
- 价格 起订量
- ￥ 1.94546 1+
- ￥ 1.83534 10+
- ￥ 1.73146 100+
- ￥ 1.63345 500+
- ￥ 1.54099 1000+
- 型号： MMBTH81
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MMBTH81 Series 20 V CE Breakdown .05 A PNP RF Transistor - SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 2493
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.94546
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：42 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：-20V
- 最大功率耗散：225mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-50mA
- 频率：600MHz
- 基本部件号：MMBTH81
- 元素配置：Single
- 功率耗散：225mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：600MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：20V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 5mA 10V
- 转换频率：600MHz
- 最大击穿电压：20V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 连续集电极电流：50mA
- 集电极-基极电容-最大值：0.85pF
- 高度：1.11mm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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