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RF BJT 晶体管 / BFR193WH6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 0.62853 1+
- ￥ 0.59295 10+
- ￥ 0.55939 100+
- ￥ 0.52772 500+
- ￥ 0.49785 1000+
- 型号： BFR193WH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-323 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 8581
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.62853
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：580mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 频率：8GHz
- 基本部件号：BFR193
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：580mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：80mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 30mA 8V
- 增益：10.5dB ~ 16dB
- 转换频率：8000MHz
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：2V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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