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RF BJT 晶体管 / BFQ19SH6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 2.11228 1+
- ￥ 1.99272 10+
- ￥ 1.87992 100+
- ￥ 1.77351 500+
- ￥ 1.67312 1000+
- 型号： BFQ19SH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin SOT-89 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.11228
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：15V
- Current-Collector (Ic) (Max)：120mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2003
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 附加功能：低噪音
- 最大功率耗散：1W
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：15V
- 最大集电极电流：75mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 70mA 8V
- 增益：7dB
- 最高频率：1.5GHz
- 转换频率：5500MHz
- 最大击穿电压：15V
- 频率转换：5.5GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3V
- 最高频段：L B
- 噪音数字(分贝类型@ f)：3dB @ 1.8GHz
- 高度：1.5mm
- 长度：4.5mm
- 宽度：2.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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