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RF BJT 晶体管 / BFP650H6327XTSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BFP650H6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SC-82A, SOT-343
- 描述： Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 7133
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-82A, SOT-343
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：硅锗碳
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：4.5V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低噪音
- 最大功率耗散：500mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 频率：41GHz
- 基本部件号：BFP650
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：4V
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：110 @ 80mA 3V
- 增益：10.5dB ~ 21.5dB
- 转换频率：42000MHz
- 最大击穿电压：4.5V
- 频率转换：37GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：13V
- 发射极基极电压 (VEBO)：1.2V
- 噪音数字(分贝类型@ f)：0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 高度：900μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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