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IGBT晶体管模块 / APTGT100DA60T1G
- 价格 起订量
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- 型号： APTGT100DA60T1G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SP1
- 描述： IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：36 Weeks
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SP1
- 引脚数：12
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-40°C~175°C TJ
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：12
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 最大功率耗散：340W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：12
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：340W
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：150A
- 最大集极截止电流：250μA
- 输入电容：6.1nF
- 接通时间：180 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 100A
- 关断时间-标准值（toff)：370 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 输入电容(Cies)@Vce：6.1nF @ 25V
- VCEsat-最大值：1.9 V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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