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IGBT晶体管模块 / FP30R06W1E3BOMA1
- 价格 起订量
- ￥ 97.14812 1+
- ￥ 91.64917 10+
- ￥ 86.46148 100+
- ￥ 81.56743 500+
- ￥ 76.95041 1000+
- 型号： FP30R06W1E3BOMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT MODULE 600V 37A 115W
- 库存地点： 内地
- 库存： 3
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 97.14812
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：23
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.55V
- Number of Elements：7
- 操作温度：-40°C~150°C
- 已出版：2002
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：不适用
- 终止次数：23
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：115W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：23
- 配置：三相逆变器
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：115W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：37A
- 最大集极截止电流：1mA
- 接通时间：42 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：245 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 输入电容(Cies)@Vce：1.65nF @ 25V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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