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IGBT晶体管模块 / DDB6U75N16W1RBOMA1
- 价格 起订量
- ￥ 267.20884 1+
- ￥ 252.08381 10+
- ￥ 237.81491 100+
- ￥ 224.35369 500+
- ￥ 211.65443 1000+
- 型号： DDB6U75N16W1RBOMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT MOD 1200V 69A 335W
- 库存地点： 内地
- 库存： 80
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 267.20884
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：PCB, Through Hole
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：10
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：-40°C~150°C
- 已出版：2006
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：27
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：27
- JESD-30代码：R-XUFM-X27
- 资历状况：不合格
- 配置：三相逆变器
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：335W
- 正向电流：65A
- 晶体管应用：电源控制
- 无卤素：不含卤素
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：69A
- 峰值反向电流：1mA
- 最大重复反向电压(Vrrm)：1.6kV
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：137 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V, 50A
- 关断时间-标准值（toff)：630 ns
- NTC热敏电阻：有
- 输入电容(Cies)@Vce：2.8nF @ 25V
- 高度：12mm
- 长度：48mm
- 宽度：33.8mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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