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单片IGBT晶体管 / NGTG12N60TF1G
- 价格 起订量
- ￥ 18.84715 1+
- ￥ 17.78033 10+
- ￥ 16.77390 100+
- ￥ 15.82443 500+
- ￥ 14.92871 1000+
- 型号： NGTG12N60TF1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： Module
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.84715
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- 包装：Tube
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：54W
- 元素配置：Single
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：24A
- 连续集电极电流：20A
- 高度：26.5mm
- 长度：15.5mm
- 宽度：5.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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