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IGBT晶体管模块 / FD150R12RT4HOSA1
- 价格 起订量
- ￥ 671.49399 1+
- ￥ 633.48490 10+
- ￥ 597.62726 100+
- ￥ 563.79931 500+
- ￥ 531.88614 1000+
- 型号： FD150R12RT4HOSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT MOD 1200V 150A 790W
- 库存地点： 内地
- 库存： 121500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 671.49399
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：5
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.15V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 系列：C
- 已出版：2002
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：790W
- 端子位置：UPPER
- 引脚数量：7
- JESD-30代码：R-XUFM-X4
- 配置：单斩波器
- 元素配置：Single
- 功率耗散：790W
- 箱体转运：ISOLATED
- 无卤素：不含卤素
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：150A
- 最大集极截止电流：1mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：185 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V, 150A
- 关断时间-标准值（toff)：490 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：9.3nF @ 25V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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