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图片经供参考，以实物为准
IGBT晶体管模块 / FS75R12W2T4BOMA1
- 价格 起订量
- ￥ 340.47487 1+
- ￥ 321.20271 10+
- ￥ 303.02142 100+
- ￥ 285.86926 500+
- ￥ 269.68799 1000+
- 型号： FS75R12W2T4BOMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1
- 库存地点： 内地
- 库存： 31
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 340.47487
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 引脚数：18
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.15V
- Number of Elements：6
- 操作温度：-40°C~150°C
- 已出版：2002
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：15
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：375W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：33
- JESD-30代码：R-XUFM-X15
- 资历状况：不合格
- 配置：全桥
- 功率耗散：375W
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 无卤素：不含卤素
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：107A
- 最大集极截止电流：1mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：185 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V, 75A
- 关断时间-标准值（toff)：490 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 输入电容(Cies)@Vce：4.3nF @ 25V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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