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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / APT35GN120BG
- 价格 起订量
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- 型号： APT35GN120BG
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 94A 3-Pin(3 Tab) TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 5751
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：24 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：38.000013g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：800V, 35A, 2.2 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：1999
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：1.2kV
- 最大功率耗散：379W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：94A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：94A
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：46 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 35A
- 连续集电极电流：94A
- 关断时间-标准值（toff)：465 ns
- IGBT类型：NPT, Trench Field Stop
- 闸门收费：220nC
- 集极脉冲电流（Icm）：105A
- Td（开/关）@25°C：24ns/300ns
- 开关能量：2.315mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：30V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- 高度：5.31mm
- 长度：21.46mm
- 宽度：16.26mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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