简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IXGH40N120C3D1
- 价格 起订量
- ￥ 123.04862 1+
- ￥ 116.08361 10+
- ￥ 109.51284 100+
- ￥ 103.31400 500+
- ￥ 97.46604 1000+
- 型号： IXGH40N120C3D1
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 75A 380W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 780
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 123.04862
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：4.4V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 30A, 3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：GenX3™
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：低导通损耗
- 最大功率耗散：380W
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：IXG*40N120
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 功率耗散：380W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：4.4V
- 最大集电极电流：75A
- 反向恢复时间：100ns
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：52 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：4.4V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：475 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：142nC
- 集极脉冲电流（Icm）：180A
- Td（开/关）@25°C：17ns/130ns
- 开关能量：1.8mJ (on), 550μJ (off)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IXGH40N120C3D1 IXYS
IRG7PH42U-EP Infineon Technologies- IRGP30B120KD-EP Infineon Technologies
IRG7PH50K10DPBF Infineon Technologies- IRG7PH50K10D-EPBF Infineon Technologies
