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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGWA15H120DF2
- 价格 起订量
- ￥ 26.61667 1+
- ￥ 25.11006 10+
- ￥ 23.68874 100+
- ￥ 22.34787 500+
- ￥ 21.08289 1000+
- 型号： STGWA15H120DF2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 28
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.61667
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：32 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Test Conditions：600V, 15A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：259W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STGWA15
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：259W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.6V
- 最大集电极电流：30A
- 反向恢复时间：231 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V, 15A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：67nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：23ns/111ns
- 开关能量：380μJ (on), 370μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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