简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / TIG110BF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： TIG110BF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： IGBT Transistors LOW VF SWITCHING DIODE
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Test Conditions：300V, 15A, 30 Ω, 15V
- 包装：Bulk
- 已出版：2010
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：2W
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：2W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2V
- 最大集电极电流：27A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 接通时间：300 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 15A
- 关断时间-标准值（toff)：450 ns
- IGBT类型：NPT
- 闸门收费：95nC
- 集极脉冲电流（Icm）：108A
- Td（开/关）@25°C：65ns/250ns
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
