图片经供参考,以实物为准

桥式整流器 / NMLU1210TWG
- 价格 起订量
- ¥ 8.02011 1+
- ¥ 7.56614 10+
- ¥ 7.13787 100+
- ¥ 6.73384 500+
- ¥ 6.35268 1000+
- 型号: NMLU1210TWG
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 桥式整流器
- 封装: 8-UDFN Exposed Pad
- 描述: MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8
- 库存地点: 内地
- 库存: 18000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 8.02011
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:11 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-UDFN Exposed Pad
- 表面安装:YES
- 引脚数:8
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:2
- 操作温度:-55°C~125°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2011
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 终端形式:无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 引脚数量:8
- JESD-30代码:S-XDSO-N6
- 元素配置:Dual
- 二极管类型:单相
- 反向泄漏电流@ Vr:40μA @ 20V
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:1.2W
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450mV @ 2A
- 箱体转运:DRAIN
- 晶体管应用:SWITCHING
- 平均整流电流(Io):3.2A
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID):2.2A
- 峰值反向电流:1mA
- 栅极至源极电压(Vgs):10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):1.16A
- 漏源击穿电压:20V
- 漏源电阻:17mOhm
- 高度:500μm
- 长度:4mm
- 宽度:4mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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