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MOSFETs 晶体管阵列 / LN2502LT1G
- 价格 起订量
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- 型号： LN2502LT1G
- 厂商： Leshan
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： -
- 描述： SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：LN2502LT1G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：LRC Leshan Radio Co Ltd
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：接触制造商
- Ihs Manufacturer：LESHAN RADIO CO LTD
- Risk Rank：5.65
- Drain Current-Max (ID)：4.2 A
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：超低电阻
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-236AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.04 Ω
- DS 击穿电压-最小值：20 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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